三星发布12层HBM3E DRAM：记忆技术的动力之源
世界上最大的记忆芯片生产商正在推出其最先进的HBM，以利用市场反弹和对人工智能需求的增加
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三星发布12层HBM3E DRAM，孕育内存技术新力量，AI需求旺盛
图片：三星
韩国科技巨头三星通过宣布行业首款12层HBM3E DRAM，将内存技术推向新高度。这一重要进展展示了迄今为止任何高带宽内存的最高容量和带宽。
HBM3E 12H DRAM的卓越之力
随着HBM3E 12H DRAM的推出，三星在内存技术领域确立了新的标杆。这一创新性DRAM提供了惊人的最大带宽达到1280GB/s，容量更是高达36GB。这些数据相比8层HBM3有着惊人的50%增长。
HBM由多个垂直堆叠的DRAM模块组成，被称为堆栈或层，已成为三星、SK海力士和美光等内存制造商的首选解决方案。目标是通过增加堆叠数目，同时尽可能保持芯片薄度，以最大化容量。
追求更薄、更强大芯片的竞争
为了互相竞争，三大主要内存制造商三星、SK海力士和美光正积极追求HBM技术的进步。它们准备在今年增加HBM内存的生产量，因为内存芯片市场呈现复苏迹象。对人工智能（AI）的需求不断增加，特别是像英伟达等AI驱动的GPU，正在推动HBM的流行。这些内存模块是用于AI应用的强大GPU的必不可少部分。
三星的专长：先进的热压缩不导电膜（TC NCF）
为了实现增加堆叠数量的雄心目标，同时保持包装要求，三星应用了先进的热压缩不导电膜（TC NCF）。这一突破性技术使得12层HBM3E能够与8层同行相同高度。
通过使用更薄的膜，并将堆叠之间的间隙减小至仅有七微米，三星实现了垂直堆叠HBM3E的密度增加超过20%的显著提升。此外，TC NCF的实施使得在芯片键合过程中能够使用小型和大型凸起。这种方法通过小型凸起优化信号区域，通过大型凸起确保高效散热。
释放HBM3E 12H DRAM的威力
三星声称，HBM3E 12H DRAM的性能和容量提升将显著降低数据中心的总拥有成本。对于AI应用，这一强大内存将提高AI训练的平均速度34%，且推理服务的同时用户数量可以较前代产品HBM3 8H提升惊人的11.5倍。
展望未来
三星已经向其客户交付了令人震撼的HBM3E 12H样品。预计这一开创性内存的批量生产将在今年上半年开始。HBM3E 12H DRAM的到来标志着内存技术的新时代，为各种应用提供了前所未有的容量和性能。
其他信息与问答
Q：HBM3E 12H DRAM与其他内存技术相比有何区别？
A：HBM3E 12H DRAM以其无与伦比的容量和带宽，树立了新的行业标准。相比8层HBM3，它在容量和速度上提升了50%。
Q：这一进步如何使数据中心和AI应用受益？
A：HBM3E 12H DRAM使用户能够降低数据中心的总拥有成本。在AI应用中，它大幅提高AI训练速度，并使推理服务的同时用户数量大大增加。
Q：HBM3E 12H DRAM的批量生产将何时开始？
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A: 三星计划在今年上半年开始大规模生产HBM3E 12H DRAM，在成功向客户交付样品后。
Q：除了数据中心和人工智能，还有哪些应用可以从HBM3E 12H DRAM中受益？
A：除了数据中心和人工智能，其他内存密集型应用程序（如图形处理、高性能计算和企业存储）也可以利用HBM3E 12H DRAM的强大性能和效率来增强其性能。
相关链接
- HBMs: Unveiling the Power of Stacked Memory
- Semron Aiming to Replace Chip Transistors with Memcapacitors
- Nvidia’s New GPUs: An Open Secret in the World of Tech
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